Физики изучили магнитные примеси в топологических изоляторах

Разрушение идеальности: магнитные атомы в топологических изоляторах

Физики изучили магнитные примеси в топологических изоляторах

Поверхностные состояния электронов известны с 30-х годов прошлого века, косвенное обменное взаимодействие — с 50-х. В XXI веке два этих физических эффекта, объединенные в топологических изоляторах, приводят к совершенно новым свойствам и новым практическим применениям.

Прежде чем рассказывать, что интересного было сделано в недавней работе, написанной совместно со студентами кафедры проблем теоретической физики МФТИ Павлом и Владиславом Куриловичами и опубликованной в журнале Physical Review B, стоит напомнить, что такое двумерные топологические изоляторы, магнитные примеси и косвенное обменное взаимодействие.

Топологические изоляторы

Топологические изоляторы — это открытие физики XXI века. Их существование и свойства были сначала предсказаны теоретически, а затем, через несколько лет, открыты экспериментально.

Слово изолятор в названии «топологический изолятор» означает, что соответствующий материал, если бы он не имел границы (занимал бы все пространство), был бы диэлектриком, то есть при низких температурах не пропускал бы электрический ток.

В реальности любой материал имеет границу, поэтому говорят, что топологический изолятор имеет объемные диэлектрические свойства.

Это проявляется в том, что заряженные частицы (электроны и дырки) внутри топологического изолятора, как и в обычных диэлектриках, не могут иметь произвольную энергию — как говорят, у изолятора существует запрещенная зона (см. рис. 1) — и не проводят электрический ток.

Слово топологический означает, что у топологических изоляторов, в отличие от изоляторов обычных, на поверхности (в трехмерном случае) или на границе (в двумерном случае), существуют поверхностные / краевые состояния, энергия которых находится в объемной запрещенной зоне (см. рис. 1), но они проводят ток. Причем сами эти поверхностные / краевые состояния являются топологическими, то есть их существование не связано с какими-то специальными условиями на поверхности / границе материала.

Заметим, что существование поверхностных состояний в полупроводниках было известно с 30-х годов прошлого века — после работ Игоря Тамма и Уильяма Шокли (W. B. Shockley). Но в отличие от давно известных поверхностных состояний Тамма и Шокли, топологические поверхностные состояния нельзя уничтожить, изменяя свойства поверхности.

Поверхностные / краевые состояния в топологических изоляторах имеют ряд интересных свойств.

Например, если к топологическому изолятору поднести электрический заряд, то на поверхности возникает такое распределение электрического тока, какое возникло бы при наличии магнитного монополя в объеме топологического изолятора.

Огромный интерес к топологическим изоляторам связан с тем, что есть надежда использовать их необычные свойства для создания электронных схем с минимальными потерями на тепло, а также квантовых компьютеров.

В настоящее время известно более 20 соединений, которые являются трехмерными топологическими изоляторами. Например, такими соединениями являются теллурид и селенид висмута. Примеров двумерных топологических изоляторов всего два.

Наиболее исследованной экспериментально является структура на основе теллурида кадмия (CdTe) и теллурида ртути (HgTe). Эта структура называется квантовой ямой CdTe / HgTe / CdTe и показана на рис. 2.

Из-за различия в свойствах теллурида кадмия и теллурида ртути, согласно законам квантовой механики, электроны оказываются заперты в тонком слое теллурида ртути (обычно около 10 нанометров) и могут свободно двигаться только по слою. О такой ситуации говорят, что электроны эффективно становятся двумерными.

Если начать менять толщину слоя теллурида ртути и прикладывать напряжение в плоскости слоя, то при толщине ямы больше критической (около 6 нанометров) потечет электрический ток. Причем оказывается, что ток течет вдоль границы слоя теллурида ртути (см. рис. 2).

Эксперимент, подтверждающий такую картину, был проведен в 2007 году в группе Лоуренса Моленкампа (L. W. Molenkamp) в Университете Вюрцбурга (Германия). В России аналогичные эксперименты проводят в группе Зе Дон Квона в Институте физики полупроводников в Новосибирске.

Важным свойством краевых состояний в топологических изоляторах является то, что они идеально проводят электрический ток. Слово «идеально» в этом случае означает, что отношение приложенного напряжения к протекающему току равно кванту электрического сопротивления (постоянной фон Клитцинга).

Напомним, что квант электрического сопротивления в системе единиц СИ равен 25812,807 Ом. Идеальное протекание электрического тока вдоль границы двумерного топологического изолятора нарушается в присутствии магнитных атомов или, как говорят, примесей. Такими примесями могут служить, например, атомы железа или марганца.

Уединенный магнитный атом, расположенный у границы двумерного топологического изолятора, приводит к отражению краевых состояний назад, из-за чего при низких температурах отношение напряжения к току становится больше, чем квант сопротивления.

Если же магнитных атомов много и они могут образовать упорядоченное состояние, то протекание электрического тока может быть полностью блокировано и отношение напряжения к току становится бесконечным.

Есть надежда использовать топологические изоляторы для создания электронных схем с минимальными потерями на тепло, а также квантовых компьютеров

Интересно, что полупроводники теллурид кадмия и теллурид ртути с небольшими концентрациями атомов марганца в начале 1980-х очень активно изучались во всем мире, как теоретически, так и экспериментально.

У нас в стране этим активно занимались в лаборатории Исаака Цидильковского в Институте физики металлов в Екатеринбурге. Основной вопрос, который интересовал исследователей, — это поведение магнитных моментов примесных атомов при низких температурах.

Например, упорядочиваются ли магнитные моменты, образуя ферромагнитное состояние, при понижении температуры, или нет.

Косвенное обменное взаимодействие

Возможность упорядочения магнитных моментов примесных атомов определяется характером взаимодействия между ними. Если концентрация примесных атомов невелика (доли процента), так что атомы расположены далеко друг от друга, то основное взаимодействие возникает из-за рассеяния свободных электронов на паре магнитных атомов.

Можно сказать иначе — из-за взаимодействия магнитных атомов через посредство свободных электронов, косвенного обменного взаимодействия.

В металлах такое взаимодействие носит название взаимодействия Рудермана — Киттеля — Касуи — Иосиды (Ruderman — Kittel — Kasuya — Yosida) в честь теоретиков, которые его впервые изучили еще в середине 50-х годов прошлого века.

В полупроводниках косвенное обменное взаимодействие впервые теоретически исследовали Бломберген и Роуланд (Bloembergen, Rowland) в 1955 году. Большой вклад в изучение косвенного обмена внес также Алексей Абрикосов — советско-американский физик, нобелевский лауреат, занимавшийся фундаментальными вопросами физики твердого тела.

Оказывается, что в металлах и полупроводниках косвенное обменное взаимодействие ведет себя по-разному с расстоянием между атомами. При низких температурах в металлах косвенное обменное взаимодействие убывает степенным образом, а в полупроводниках — быстрее, экспоненциально.

В металлах при рассеянии на магнитной примеси электрон из-под уровня Ферми переходит в свободное состояние прямо над уровнем Ферми. В полупроводниках при рассеянии на магнитной примеси состояние из валентной зоны должно перейти в состояние в зоне проводимости, а это требует большей энергии, равной как минимум ширине запрещенной зоны.

Косвенное обменное взаимодействие в топологических изоляторах теоретически изучалось с момента их экспериментального открытия в середине прошлого десятилетия. Однако при его изучении обычно учитывалось только рассеяние поверхностных (или краевых) состояний на магнитных примесях.

Так как эти состояния похожи на состояния в металле, то и косвенное обменное взаимодействие получалось таким же, как в двумерном (или одномерном) металле.

В нашей теоретической работе мы изучили, как на косвенное обменное взаимодействие между магнитными атомами в двумерном топологическом изоляторе влияет наличие не только краевых, но и объемных состояний.

Тот факт, что краевые состояния ведут себя как металлические, а объемные — как диэлектрические, приводит к интересной особенности: в зависимости от расположения магнитных атомов они взаимодействуют по-разному (см. рис. 3).

Если оба магнитных атома находятся вдали от границы, то косвенное обменное взаимодействие между ними такое же, как в обычном полупроводнике, в частности, оно на больших расстояниях спадает экспоненциально. Если же оба магнитных атома находятся у границы, то косвенное обменное взаимодействие устроено так же, как в металле, — на больших расстояниях убывает степенным образом. Оба этих результата были известны и до нашей работы.

Напряжение управляет температурой перехода

В нашей работе мы нашли новый тип поведения косвенного обменного взаимодействия, когда оно, с одной стороны, имеет свойства, характерные для металлов, а с другой — свойства, типичные для полупроводников.

Такой вид косвенного обменного взаимодействия реализуется в случае, когда один атом находится у края, а второй вдали от него.

Такие гибридные свойства косвенного обменного взаимодействия определяются тем, что в этом случае при рассеянии на магнитной примеси краевое состояние переходит в объемное состояние в зоне проводимости. Такой переход требует энергии, меньшей объемной щели на величину химического потенциала краевых состояний (см.

 рис. 3). А химический потенциал краевых состояний зависит от приложенного напряжения. Получается, что характерная длина, на которой косвенное обменное взаимодействие затухает, зависит от приложенного напряжения. Такая зависимость косвенного обмена от напряжения является очень интересной.

Потенциально она может приводить к тому, что температурой перехода в упорядоченное состояние для магнитных примесей, находящихся у границы двумерного топологического изолятора, можно будет управлять приложенным напряжением. Чтобы выяснить, так ли это, требуются дальнейшие теоретические и экспериментальные исследования.

В заключение можно сказать, что изучение свойств топологических изоляторов — это новая, интересная и активно развивающаяся область современной физики конденсированного состояния, прогресс в которой однажды может привести к появлению новых микроэлектронных устройств.

Рисунки Павла и Владислава Куриловичей

Источник: https://elementy.ru/nauchno-populyarnaya_biblioteka/433784/Razrushenie_idealnosti_magnitnye_atomy_v_topologicheskikh_izolyatorakh

Непроводящий висмут, легированный сурьмой, оказался топологическим сверхпроводником

Физики изучили магнитные примеси в топологических изоляторах

Группа учёных из МФТИ, Университета Твенте (нидерл. Universiteit Twente) и Амстердамского университета (нидерл. Universiteit van Amsterdam, UvA) обнаружила способность одного из топологических материалов — непроводящего висмута, легированного сурьмой, — служить сверхпроводником внутри своего объёма.

Топологические материалы являются перспективными элементами будущих квантовых устройств, благодаря защищённости своих проводящих свойств. Однако до сих пор не удавалось обнаружить такое поведение этих материалов не в поверхностном слое, а в объёме. Обнаружение такой проводимости может в перспективе значительно увеличить надёжность квантовых устройств.

Работа опубликована в Nature Materials.

«Полученный нами результат является, по мнению научного сообщества, первым шагом к реализации нового типа квантовых алгоритмов и должен ускорить проникновение топологических квантовых вычислений в технологии», — сказал соавтор работы, заведующий лабораторией топологических квантовых явлений в сверхпроводящих системах МФТИ Александр Голубов.

Топологические изоляторы

Существует группа материалов со сложной структурой энергетических зон в объёме. Благодаря этой структуре на их поверхности возникает проводящее состояние с жёсткой зависимостью возможного направления движения электрона от направления его спина. Такие материалы называются топологически защищёнными.

Обычно электроны, двигаясь в каком-либо веществе, рассеиваются на примесях, поскольку не существует абсолютно чистых материалов. В случае топологически защищённых материалов такой процесс будет невозможен или, как говорят физики, запрещён, ведь, чтобы перевернуть направление движения, нужно будет перевернуть спин.

А спин при отсутствии каких-то магнитных примесей или магнитных полей не будет переворачиваться.

Эта группа материалов называется также топологическими изоляторами. Изоляторами — потому что чаще всего в объёме эти материалы работают как изоляторы, то есть не проводят электрический ток. Но проводят на поверхности. Топологическими — потому что именно их внутренняя топология делает поверхность проводящей.

«Это явление, наверное, более фундаментально, чем закон сохранения энергии и импульса. Потому что сохранение энергии в открытой системе работает с точностью до какого-то взаимодействия: поглотили фотон — у нас энергия изменилась. Импульс сохраняется опять же с точностью до рассеяния на примеси или на поверхности кристалла.

Топологические изоляторы гораздо более устойчивы. Мы фактически отнимаем одну степень свободы у электронов. Можно менять электронную структуру внутри кристалла, но проводящее состояние на поверхности будет устойчивым, и его никак нельзя разрушить.

Оно защищено и от рассеяния на примесях на поверхности», — поясняет Александр Голубов.

Многообещающе выглядит применение таких материалов в квантовых вычислениях. В этой сфере есть одна проблема — квантовое состояние очень легко разрушить. Квантовая частица живёт в неизменном состоянии до тех пор, пока она не взаимодействует с окружением.

Как только возникает взаимодействие с внешней средой, — состояние квантовой частицы получает конечное время жизни. Топологическая защита квантовых состояний, по общему мнению, является самой стабильной. Первые материалы с такими свойствами были получены несколько лет назад.

Это полупроводники разного типа: висмут-селен, висмут-теллур и другие.

Эксперимент с дираковским полуметаллом

Новое слово в области создания топологически защищённых материалов — так называемые дираковские полуметаллы. Они характеризуются тем, что защищённые состояния могут быть даже в объёме вещества. Полуметаллами они называются, потому что занимают по электрическим свойствам промежуточное положение между металлами и полупроводниками.

Этот новый класс материалов ещё более интересен для практических приложений, потому что поверхность подвержена любым химическим воздействиям: могут образоваться дефекты, которые всё-таки нарушат эту топологическую защиту.

В случае объёмных топологически защищённых состояний разрушить их куда сложнее. Именно этот класс материалов на примере висмута, легированного сурьмой, изучался в рамках проделанного эксперимента.

Было показано, что, действительно, топологическая защищённость присутствует в объёме плёнки толщиной несколько сотен нанометров.

Учёные расположили на плёнке из висмут-сурьмы контакты из сверхпроводящего ниобия. По сверхпроводящим электродам из ниобия в заданном направлении пропускался ток, который стимулировал движение электронов в висмут-сурьме от одного электрода к другому.

Сверхпроводник позволил получить так называемый Джозефсоновский контакт.

Эффект Джозефсона сводится к тому, что при разделении двух сверхпроводников каким-нибудь несверхпроводящим материалом, через этот материал может течь сверхпроводящий бездиссипативный, или джозефсоновский, ток, который будет переноситься куперовскими парами электронов — носителями сверхпроводящего тока.

4π-периодичность тока

Все сверхпроводники характеризуются макроскопической фазой. Текущий через несверхпроводящий материал джозефсоновский ток периодически зависит от разности фаз двух сверхпроводников. В квантовой механике всё 2π-периодично, то есть любая волновая функция не меняется при изменении фазы на 2π. Текущий ток должен иметь синусоидальную зависимость от разности фаз.

«Эксперимент показал, что если барьером будет служить топологический изолятор, в котором степень свободы у электрона пропадает, ток будет 4π-периодичным, что интуитивно кажется невероятным», — рассказывает Александр Голубов.

Обнаружение 4π-периодичности текущего через образец тока является прямым доказательством наличия топологической защищённости в объёме исследуемого материала.

Источник: https://22century.ru/chemistry-physics-matter/71394

Квантовые эффекты открыли микроэлектронике новый путь развития

Физики изучили магнитные примеси в топологических изоляторах

Научной премии Breakthrough Prize, которая в денежном выражении превосходит Нобелевскую, удостоились в этом году физики, чьи работы привели к открытию совершенно нового класса веществ — топологических изоляторов. Свойства этих веществ обусловлены квантовыми эффектами, и с этим связывают прорыв в микроэлектронике и квантовых вычислениях.

Окно в будущее

Предел вычислительных мощностей компьютеров практически достигнут. Людям нужны на порядки более скоростные устройства, основанные на других физических явлениях. Микроэлектронику необходимо модернизировать. Открытые в последние десятилетия топологические состояния материи дают надежду на то, что очередной виток технического прогресса не за горами.

Топология — это область математики, изучающая, каким образом свойства объектов остаются неизменными при непрерывных деформациях. С ее помощью удалось предсказать существование нового класса материалов. Отсюда их название — топологические изоляторы.

Это твердое вещество, которое не проводит электрический ток, но на поверхности проявляет свойства металла, то есть служит прекрасным проводником. Топологические изоляторы сохраняют эту удивительную способность независимо от дефектов, коррозии, деформации, повреждений. Именно этим они вызвали интерес ученых.

Под защитой топологии

Открытию топологических изоляторов предшествовали фундаментальные научные исследования, о практической пользе которых изначально не помышляли.

В 1981 году немецкий физик Клаус фон Клитцинг открыл квантовый эффект Холла, возникающий в двумерном образце (очень тонком — толщиной в один-два атома) при низких температурах и сильном магнитном поле. Если такой проводник поместить между магнитами, то в нем возникнет разность потенциалов, перпендикулярная течению тока.

С увеличением магнитного поля это «перпендикулярное» сопротивление (физики говорят «холловское») изменяется не плавно, а скачками по определенному закону с участием универсальных физических констант: заряда электрона и постоянной Планка. Таким образом в макрообъекте наблюдаются квантовые процессы, присущие микромиру.

В 1985 году это открытие удостоилось Нобелевской премии.

Далее физики, пытаясь объяснить квантовый эффект Холла, обнаружили, что его природа — топологическая. За эти работы в 2016 году Нобелевскую премию по физике получил, в частности, англичанин Дэвид Таулесс.

Грубо говоря, этот эффект проявляется, потому что у твердого тела есть поверхность, край. Именно там неизбежно движение электронов.

Убегать с поверхности внутрь образца они не могут — у них нет для этого энергии.

В 2005 году американские физики-теоретики Чарльз Кейн и Юджин Мел предсказали, что должны существовать топологические изоляторы, в которых квантовый эффект Холла наблюдается при обычных условиях: без сильного внешнего магнитного поля и при комнатной температуре.

Роль магнитного поля в них играет особое квантовое явление — спин-орбитальное взаимодействие, обеспечивающее топологическую защиту поверхностных электронов. Действует это следующим образом.

Когда заряженные частицы встречают дефект, то в обычном материале могут от него отскочить.

В топологическом же изоляторе спин (внутреннее вращение электрона) всегда связан с направлением движения и должен сохраняться, поэтому электрон проигнорирует дефект и продолжит путь, не меняя направления.

Спустя два года после предсказания такие химические соединения действительно открыли. За что Кейн и Мел удостоились на днях премии Breakthrough Prize, учрежденной на средства Юрия Мильнера, Сергея Брина и Марка Цукерберга.

© Иллюстрация РИА Новости Двумерный топологический изолятор. Электрический ток течет только по краю. Красная и синяя линии показывают направление движения электронов. Их спин (стрелки вверх и вниз) перпендикулярен направлению движения

Квантовые нанотехнологии

Спин-орбитальное взаимодействие наиболее сильно проявляется в соединениях, в кристаллическую решетку которых входят тяжелые элементы, такие как висмут, ртуть, сурьма.

«Висмут уже сто лет исследуют. И вот в этом году обнаружили, что, если в нем сделать микроканавку, на некоторых ее стенках можно наблюдать топологическое состояние.

В последние годы открыли еще несколько семейств топологических  материалов — вейлевские, дираковские полуметаллы, полуметаллы с линией узлов. Поиск продолжается.

Сейчас происходит топологическая революция в физике конденсированного состояния», — рассказывает РИА Новости кандидат физико-математических наук Александр Кунцевич, старший научный сотрудник лаборатории сильно коррелированных электронных систем ФИАН.

Его группа работает с кристаллами и тонкими пленками селенида висмута (Bi2Se3). Ученые делают из них простейшие электронные элементы, измеряют проводимость на поверхности, добавляют в систему примеси. На установке фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением (ARPES) исследуют образцы, их зонную структуру и топологическое поверхностное состояние.

© РИА Новости / Татьяна Пичугина

Кристалл селенида висмута обладает свойствами топологического изолятора. Выращен в ФИАН

Фотоны вместо электронов

«Недавно подсчитали, что из двухсот тысяч известных науке химических соединений, только четыреста могут быть электронными топологическими изоляторами. Это капля в море», — комментирует РИА Новости Максим Горлач, сотрудник Международного научно-исследовательского центра нанофотоники и метаматериалов ИТМО (Санкт-Петербург).

Чтобы расширить класс этих необычных материалов, ученые пошли на хитрость, заменив электроны фотонами — квантами электромагнитного излучения.

Для этого конструируют особые структуры, имитирующие кристаллическую решетку. Попадая в них, фотон приобретает спин и даже в некотором смысле массу и, в общем, чувствует себя как электрон.

Такие искусственные структуры называют фотонными топологическими изоляторами.

«В топологической системе свет распределяется по краю. Если начнем вносить туда дефекты, что произойдет с краевым состоянием? Электромагнитная волна их обогнет, не рассеется, не уйдет вглубь структуры. Это вызывает большой интерес исследователей», — поясняет Горлач.

Ученые в ИТМО выращивают и изучают структуры из керамики и кремния. Их форма зависит от диапазона частот электромагнитного излучения — это могут быть микроволновый, инфракрасный, оптический диапазоны.

В отличие от электронных, для изготовления фотонных топологических изоляторов не требуются редкие соединения. Однако интервал частот, для которых характерны такие состояния материи, слишком узок. Усилия ученых направлены на то, чтобы его расширить.

© ИТМО / Максим Горлач

Фотонный топологический изолятор. Фотоны движутся по краю образца. Если они встречают препятствие, то просто его огибают, не сбавляя хода

Новые материалы, новые устройства

Фотонные топологические изоляторы перспективны там, где требуется передача электромагнитного сигнала: оптические системы, линии связи.

«На их основе можно сделать такой волновод, что при любых его изгибах и деформациях, любых изменениях окружающей среды, излучение будет распространяться по нему без рассеяния на дефектах или изгибах.

Если оптоволоконный кабель сильно перекрутить или переломить, оптический сигнал не пройдет. А топологический волновод сохранит работоспособность, несмотря на повреждение», — приводит пример Максим Горлач.

Электронные топологические изоляторы в сочетании с ферромагнетиками найдут применение в спинтронике, которая для переноса информации задействует спин электронов. В будущем — это спиновые транзисторы и накопители информации, спиновые компьютеры, не выделяющие тепла и, как следствие, работающие на порядок быстрее обычных.

Топологический изолятор, соединенный со сверхпроводником, даст топологический сверхпроводник, для которого открывается совершенно другая перспектива — использование в квантовых компьютерах.

Первые эксперименты показали, что, если на нанотрубочку из материала с сильным спин-орбитальным взаимодействием напылить сверхпроводник и охладить до гелиевых температур, сверхпроводимость проникнет в материал, и трубочка превратится в топологический сверхпроводник. На ее концах, как полагают физики, образуются фермионы Майораны — квазичастицы, предсказанные в 1930-х годах Этторе Майораной, учеником Энрико Ферми.

«Если поместить рядом две, условно говоря, трубочки топологических сверхпроводников, на концах которых «живут» фермионы Майораны, то они провзаимодействуют между собой. Значит, их можно рассматривать как квантовые биты и производить с ними квантовые вычисления», — объясняет Александр Кунцевич.

© РИА Новости / Татьяна Пичугина 

Установка для фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением. Младшие научные сотрудники ФИАН Павел Безотосный и Кристина Дмитриева

Практика отстает от теории

У идеального топологического изолятора на поверхности нулевое сопротивление, а внутри он, наоборот, — идеальный диэлектрик. На практике же ни одно из изученных химических соединений этому идеалу не соответствует: все образцы хоть немного, но проводят ток в объеме и рассеивают на краю. Те же недостатки и у их фотонных разновидностей.

Причины различные: у некоторых веществ, например, у селенида висмута, всегда много проводящих электронов в объеме, отсюда и ток. Попытки избавиться от этого дефекта с помощью добавления примесей пока не принесли успеха. А из-за несовершенной поверхности кристаллов не удается добиться нужной поверхностной проводимости.

По словам Кунцевича, очень качественные кристаллы умеют выращивать в Институте геологии и минералогии СО РАН в Новосибирске (его сотрудник Константин Кох стал лауреатом премии президента России в области науки и техники для молодых ученых 2017 года). Но до идеального топологического изолятора, предсказанного теорией, эти кристаллы пока не дотягивают.

Другой путь — вырастить тонкую пленку. Поскольку у нее при большой площади поверхности очень малый объем, то проблема проводимости частично снимается.

Пленка технологичнее кристалла, из нее можно делать устройства на чипе, ею можно управлять при помощи внешнего электрического поля. Но разработать технологию получения хороших пленок гораздо сложнее.

Для этого требуются многие годы и большие инвестиции, впрочем, как и для всего остального в микроэлектронной промышленности.

«Пока воплотить в жизнь удивительные свойства этих материалов не удалось. То есть устройств еще нет. Если коротко, нынешние топологические изоляторы — недостаточно изоляторы. Нужно продолжать искать, трудности не означают, что цель недостижима», — заключает ученый.

Татьяна Пичугина

Источник: http://www.sib-science.info/ru/institutes/kvantovye-effekty-otkryli-mikroelektronike-25102018

Поделиться:
Нет комментариев

    Добавить комментарий

    Ваш e-mail не будет опубликован. Все поля обязательны для заполнения.